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内置650V高压启动模块宽输出范围非隔离转换芯片-PN8044M

产品分类: 非隔离开关电源芯片
    PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源, PN8044M 内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。
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    42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
    42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
    AP2962B是一款宽输入范围,CC/CV功能的降压芯片,既可以CV(恒压)输出,也可以CC(恒流)输出。AP2962B高可在230kHz的开关频率下提供2A输出电流。AP2962B不需要使用高成本的精密电流采样电阻,非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻,AP2962B相比传统恒流开关稳压器拥有高的转换效率。
    六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
    六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
    PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
    脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
    脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
    PN8145内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。

             宽输出范围非隔离交直流转换芯片

               型号:PN8044M

      一、概述

          PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整。PN8044M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。

      二、特性

      u内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET

      u内置高压启动电路

      u优化适用于18V输出非隔离应用

      u半封闭式稳态输出功率5.4W@230VAC

      uEMI的降频调制技术

      u优异的负载调整率和工作效率

      u全面的保护功能

      Ø过流保护(OCP

      Ø过温保护(OTP

      Ø欠压保护(UVLO

      三、应用领域

      u非隔离辅助电源

      四、封装/订购信息

      五.典型应用电路

       

        全国咨询热线:400-788-7770

        销售部电话:0769-81150556   手机:18929103949  唐经理

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        总部地址:东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号

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      42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
      42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
      AP2962B是一款宽输入范围,CC/CV功能的降压芯片,既可以CV(恒压)输出,也可以CC(恒流)输出。AP2962B高可在230kHz的开关频率下提供2A输出电流。AP2962B不需要使用高成本的精密电流采样电阻,非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻,AP2962B相比传统恒流开关稳压器拥有高的转换效率。
      六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
      六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
      PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
      脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
      脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
      PN8145内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。

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