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具有EMI特性、系统启动、低待机功能的转换芯片--PN552L

产品分类: 同步整流芯片
    PN552L基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN552L内置650V启动,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN552L具有良好的EMI特性。
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    支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H
    支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H
    PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8308H集成的辅助功能,包含输出欠压保护、导通时间等功能。
    10A功率密度较高,同步升压转换器--AP2016
    10A功率密度较高,同步升压转换器--AP2016
    AP2016是一款功率密度,同步升压转换器,可由宽输入电压范围 2.7V ~12V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备,例如带有高压的充电端口HVDCP的移动电源。
    支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L
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    PN8308L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308L内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8308L集成了辅助功能,包含输出欠压保'导通时间等功能。

      具有EMI特性、系统启动、低待机功能的转换芯片--PN552L

       

      一 概述

      PN552L基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。PN552L内置650V高压启动,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN552L具有EMI特性。

       

      二 特性

      *内置650V高可靠性MOSFET
      *先进的高压同步整流架构
      *内置高压启动
      *适用于Buck、Buck-Boost架构
      *输出电压固定为5V
      *输出电流能力5V300mA
      *改善EMI的降频调制技术
      *良好的负载调整率和工作效率
      *较全的保护功能
       --过流保护(OCP)
       --欠压保护(UVLO)
       --过温保护(OTP)

       

      三 应用

      *非隔离辅助电源
      *家电
      *智能家居

       

      四 封装

       

      五 应用电路图

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      PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8308H集成的辅助功能,包含输出欠压保护、导通时间等功能。
      10A功率密度较高,同步升压转换器--AP2016
      10A功率密度较高,同步升压转换器--AP2016
      AP2016是一款功率密度,同步升压转换器,可由宽输入电压范围 2.7V ~12V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备,例如带有高压的充电端口HVDCP的移动电源。
      支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L
      支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L
      PN8308L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308L内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8308L集成了辅助功能,包含输出欠压保'导通时间等功能。
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