AP8022芯片内部集成了脉宽调制控制器和新一代的高可靠性功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护。[查看]

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PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。[查看]

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PN8126F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。[查看]

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BF6921A 是基于8/16 个电容检测电极的数字控制器。BF6921A 为使用者提供了低成本的触摸方案，配合程序可以实现按键、滑条、滚轮等应用。并把按键状态通过IO 口输出，如LED 等。 8/16 个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命来 调节灵敏度。 BF6921A 通过 IIC 与主机进行通信。 BF6921A 包含一个主频为 32MHZ 的单片机内核和一些其他外围设备[查看]

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BF6910AX/11AX是基于10/14/22个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸，其内置MCU,可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮，滑条等多种应用。 10/14/22个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。 BF6910AX/11AX通过IIC与主机进行通信。 BF6910AX/11AX包含一个主频为24MHZ的单片机内核和一些其它外围设备[查看]

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BF6971AS14 多可以支持17 路GPIO 的芯片，其中8 路GPIO 支持40mA 的灌电流，在驱动LED 时无需三极管等电流放大器件。BF6971AS14 含一路16bit 的PWM 输出模块。 BF6971AS14 通过IIC 或UART 与主机进行通信。 BF6971AS14 包含一个主频为24MHZ 的单片机内核和一些其他外围设备[查看]

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BF6912AX是基于11//22个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸，其内置MCU，可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。11/22个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。[查看]

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BF6912AX是基于11//22个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸，其内置MCU，可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。11/22个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。[查看]

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BF6911AX是基于10/14/22个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸，其内置MCU，可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。10/14/22个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。[查看]

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SGT20N120NPTFDP7绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT15T120LR1P7绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SVF12N60T/F/SN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF10N60T/F/FG/S/KN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF8N60T/FN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM 马达驱动。[查看]

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SVF7N60T/F/S/K/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF2N60M/MJ/N/F/T/DN 沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF1N60AM/MJ/B/D/F/HN 沟道增强型高压功率MO场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压 H桥PWM马达驱动。[查看]

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PN8327包括高精度的准谐振恒流控制器及功率MOSFET，用于高可靠、效率高、单电感、精简外围元器件的非隔离中小功率LED照明。该芯片工作在原边调整模式，可省略光耦、隔离双绕组、TL431，采用了快速DMOS自供电的专利技术可节省变压器辅助绕组和启动电阻。[查看]

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PN8316包括高精度的准谐振恒流控制器及功率MOSFET，用于高可靠、效率高、单电感、精简外围元器件的非隔离中小功率LED照明。PN8136采用BUCK电路构架，工作在临界导通模式，采用了DMOS自供电的技术可节省启动电阻。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温保护、CS电阻开短路保护和LED开短路保护等，内置启动电路和芯片功耗有助于较高的工作效率。在恒流模式下，电流和输出功率可通过CS脚的RS电阻进行调节。[查看]

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