6A,600V DP MOS功率管--SVS6N60F/D/T/M/MJ
- 45V 15A肖特基二极管芯片
- GDM229045MA是采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片,损耗功率小,效率高,高ESD能力,高抗浪涌电流能力,具有瞬态反应保护能力的保护环结构,广泛应用于太阳能电池保护电路等各类电子线路中。
- 20A、100V肖特基整流管--SBD20C100T/F
- SBD20C100T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
6A,600V DP MOS功率管
型号:SVS6N60F/D/T/M/MJ
一、描述
SVS6N60F/D/T/M/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS6N60F/D/T/M/MJ应用广泛。如,适用于硬/软开关拓补。
二、特点
6A,600V,R_DS(on)(典型值)=0.6Ω@V_GS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
三、最大参数
四、封装
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