PN8368 集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。[查看]

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PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。[查看]

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PN8386集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。[查看]

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PN8356 5V1A/5V1.2A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8356工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。[查看]

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PN8370 5V2.4A/5V2A集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。[查看]

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PN8026R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。[查看]

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PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8015M 内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8015M的降频调制技术有助于 EMI特性。[查看]

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PN8358包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8358工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。内置启动电路和极低的芯片工作电流使得系统能够满足较高的待机功耗标准。在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的Rs 电阻进行调节；在恒压模式，PFM工作模式可获得较高的性能和效率。轻载时，该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。另外，输出线电阻补偿功能有助于获得较好的负载调整率。[查看]

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PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构，该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。[查看]

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PN7136是一款具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片，其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。该芯片可以通过外部电流感应电阻传送信号对六个输出进行关断，实现过流保护功能。使能端可以同时关断六个输出通道。FAULT端信号用于提示过流或者欠压情况的发生，过流信号的自动清除时间可以通过外部可编程的RC延时网络提供。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。[查看]

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PN8360包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8360工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN8147/9内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源[查看]

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PN8124F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，过载保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。[查看]

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SVS11N65T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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SVS47N60PN N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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SVS4N60F/D/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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SVS4N65F/D/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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SVS6N60F/D/T/M/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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SVS6N65F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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SVS6N70M/MJ/D N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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