NSG3100C 4A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供NSG3100C输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态。NSG3100C提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度提高效率。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcdtdcgs.html

NSG4437是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4437在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4437不会受到损坏。NSG4437可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcstddcz.html

NSG27323是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27323在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27323不会受到损坏。NSG27323可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端口均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcstddcwz.html

NSG3111C是一款单通道超高速功率开关驱动器，通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器为CMOS逻辑输入。NSG3111C提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度提高效率。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcdtddcz.html

NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjc4afzqd.html

NSG1415/6是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcdlstg2.html

AGM4013A-CP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关及电池保护场景。[查看]

http://www.zm699.com/Products/agmxky214a.html

AGM318MAP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于负载开关及电池保护类电路。[查看]

http://www.zm699.com/Products/agmxkysl1g.html

AGM218MAP器件融合先进沟槽型MOSFET工艺与低阻封装设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），适用于负载开关及电池保护场景。[查看]

http://www.zm699.com/Products/agmsemeixky.html

AGM310MD芯片采用先进沟槽型MOSFET工艺，并搭配低阻封装设计，实现极低的导通电阻RDS (ON)。该器件非常适用于负载开关与电池保护电路场景。[查看]

http://www.zm699.com/Products/30vnpstdfh.html

AGM6070A采用先进的沟槽MOSFET技术搭配低阻封装，实现极低的导通电阻R?DS(ON)?。该器件非常适用于负载开关以及电池保护类应用。[查看]

http://www.zm699.com/Products/xkyngdgcmo.html

NSH156PQ是一款15A、600V半桥智能功率模块，面向电机驱动应用开发。器件采用小型5×6mm PQFN封装，集成15A/600V MOSFET栅极驱动器与自举电路功能，可灵活用于单相、三相直流无刷电机驱动。[查看]

http://www.zm699.com/Products/15a600vbqi.html

PN8054P集成PFM控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8054P内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括VDD欠压保护，过温保护。另外PN8054P的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

http://www.zm699.com/Products/xpwfgljzlb.html

NSH706PQ是一款7A、600V半桥智能功率模块，适用于电机驱动场景。该器件采用小型5×6mm PQFN封装，集成7A/600V MOSFET栅极驱动器与自举电路功能，可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjc7a600v.html

NSMD12S60C1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMD12S60C1内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NSMD12S60C1采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcznglmok.html

NSMD10S60C1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMD10S60C1内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NSMD10S60C1采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcipmzang.html

NSH126PQ是一款面向电机驱动应用的12A、600V半桥智能功率模块，内部集成了12A/600V MOSFET栅极驱动器和自举功能，采用紧凑的PQFN 5×6mm封装。该产品可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcgybqzn.html

PN8775P集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8775P内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8775P的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

http://www.zm699.com/Products/xpwacdscgls.html

PN8182集成PFM控制器以及750V高可靠性MOSFET，用于高性能交直流转换电源。PN8182内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。PN8182内部集成过零检测电路，可输出交流过零信号。PN8182内部集成了输入过压保护功能，当输入电压超过设定的阈值时禁止MOS管开关。同时该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，VDD欠压保护，过载保护，过温保护等。[查看]

http://www.zm699.com/Products/xpwjcgljcj.html

PN8770集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8770内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8770的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

http://www.zm699.com/Products/xpwnzzgdmk.html