G2021是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2021其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2021采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG21851是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高侧驱动芯片。内部集成了高侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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G2020是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2020采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2020其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2020采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2127是一组带过流检测的高电压、高速单通道高 侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG2127采用高低压兼 容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错 误信号。NSG2127其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG2127采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2117是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片。NSG2117逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2117其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2117采用SOP8封装，可以在-40°℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG27710是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG27710采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG27710其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG27710采用SOP8封装，可以在-40℃至125C温度范围内工作。[查看]

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NSG2136是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。NSG2136集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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PN7335是一款三相栅极驱动芯片，它能工作在600V的高压下，可用丁驱动6个N沟道MOSFET或IGBT的三相全桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入也平低至 3.3V。芯片集成过流检测功能，”检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号。芯片具有使能功能可同时控制6路输出信号的开关。芯片内置了开-漏极输山的FAULT功能，可用于提示过流 或欠压导致芯片输出关断情况的发生。芯片集成了RCIN输入功能，"芯片发出FAULT信号后，可通过外接的RC网络来复位FAULT信号。芯片具有高脉冲电流输出能力和防直通逻辑保 护功能。芯片内部设计的延时匹配功能可以为高频应用提供很高的可靠性。[查看]

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PN8736集成了脉冲宽度调制（PWM）控制器与功率MOSFET，是一款专为高性能离线转换器设计的芯片，仅需极少的外部元器件即可工作。 PN8736具备完备的保护功能与自动恢复特性，包括逐周期电流限制（可调节占空比）、过载保护（OLP）、过温保护（OTP）、过压保护（OVP）及软启动功能。它支持打嗝模式（Hi-mode）、谷底模式（Eco-mode）和突发模式（Burst mode），可显著降低待机功耗，满足能效标准要求，并通过频率调制实现更优的电磁干扰（EMI）性能。 该芯片内置高压启动电路，采用先进的平台工艺，非常适合充电器、适配器及开放式开关电源等应用场景。[查看]

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NSG4427是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4427不会受到损坏。NSG4427可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

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NSH305M0PC是一款专为电机驱动应用设计的3A、500V半桥智能IPM模块。该器件采用小巧的ESOP13封装，集成了3A/500V的MOSFET栅极驱动器和自举升压功能。其设计灵活，可广泛应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统中。[查看]

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NSH405M0PC是一款4A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了4A/500V MOSFET栅极驱动器与自举升压功能，采用紧凑的ESOP13封装。它可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

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NSH506B0PC是一款5A、650V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了5A/650V MOSFET栅极驱动器与自举升压功能，采用紧凑的ESOP13封装，可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

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NSH705M1PC是一款7A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了7A/500V MOSFET栅极驱动器与自举升压功能，采用紧凑的ESOP13封装，可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

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NSG44273是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅极驱动芯片。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG44273逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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G2022是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2022采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2022其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2022采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作[查看]

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NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2023采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2023集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2023其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2023采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG27531是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位 栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁 棒性的单芯片集成结构。NSG27531逻辑输入电平兼容[查看]

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NSG21814是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V 。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG2007是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2007采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2007其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2007集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2007采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作[查看]

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