AGM芯控源P沟道功率MOSFET场效应管-AGM302D1
产品分类： 功率器件
AGM302D1结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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AGM芯控源P沟道功率MOSFET场效应管-AGM302D1
一、概述
AGM302D1结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
二、产品特性
先进的高密度沟槽工艺技术
低导通电阻 RDS(ON)，可最大限度降低导通损耗
低栅极电荷，实现快速开关
低热阻
100% 雪崩测试
100% DVDS 测试
三、产品应用
MB/VGA Vcore（主板/显卡核心电压供电）
SMPS 2nd Synchronous Rectifier（开关电源次级同步整流）
POL application（负载点电源应用）
BLDC Motor drive（无刷直流电机驱动）
SMPS 2nd Synchronous Rectifier（开关电源次级同步整流）
POL application（负载点电源应用）
BLDC Motor drive（无刷直流电机驱动）
四、封装订购信息
五、产品概要
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销售部电话：0769-81150556
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