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自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。[查看]
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实现系统快速启动、待机功能交直流转换芯片--AP8006
AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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固定5V输出的200V高耐压非隔离DC-DC转换器--PN6005
PN6005集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。 PN6005内置200V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN6005的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8505M
AP8505M基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505M内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8505M具有优异的EMI特性。[查看]
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外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源芯片--PN8011
PN8011集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整。PN8011内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8011的降频调制技术有助于 EMI特性。[查看]
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固定5V输出非隔离交直流转换芯片--PN8007
PN8007集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8007内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8007具有优异的EMI特性。[查看]
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650V高性能非隔离交直流辅助芯片--PN8034A
PN8034A集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8034A内置高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8034A的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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低待机功耗高性能开关电源IC--MD22H
MD22H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。[查看]
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基于高压同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8505
AP8505基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8505具有优异的EMI特性。[查看]
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智能功率MOSFET待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN8366M/H
PN8366集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V, PN8366H 800V),用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
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650V高雪崩能力高性能非隔离交直流转换芯片--PN8046M
PN8046M 集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件的高功率非隔离开关电源。 PN8046M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8046M的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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+集成PFM控制器宽输出范围非隔离交直流转换芯--PN8038M
PN8038M集成PFM控制器及650V 高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8038M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8038M 的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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外围元器件极精简,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8036M
PN8036M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8036M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于EMI特性 。[查看]
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待机功耗准谐振交直流转换芯片—PN8160
PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。PN8160为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台,非常适合六级能效、CoC Tier 2应用。[查看]
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高性能非隔离交直流转换芯片--PN8048M
PN8048M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件小功率非隔离开关电源。 PN8048M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8048M 的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L
PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。[查看]
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高性能多模式PWM控制芯片--AP8268
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内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8016的降频调制技术有助于 EMI特性。[查看]
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