AGMH022N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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AGMH035N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

http://www.zm699.com/Products/agmsemicxky.html

AGM612AP结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

http://www.zm699.com/Products/50a60vxkyn.html

AGM609AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

http://www.zm699.com/Products/xky40a60vd.html

AGM302D1结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM305AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

http://www.zm699.com/Products/agmsemixky.html

AGM605Q 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM30P10A结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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PN523B集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN523B内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，过温保护。另外PN523B的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8031集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8031内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。 该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8031的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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NSG6060是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。NSG6060集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG21363是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。NSG21363集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG2113是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道NSG2113的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2113内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。NSG2113采用宽体SOP16（W）封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21281采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。NSG21281其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG21281采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2005 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 NSG2005采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的 CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲 能力。NSG2005其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道 功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。 NSG2005集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化 了芯片外围电路。NSG2005采用SOIC8封装，可以 在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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G2021是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2021其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2021采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG21851是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高侧驱动芯片。内部集成了高侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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G2020是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2020采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2020其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2020采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2127是一组带过流检测的高电压、高速单通道高 侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG2127采用高低压兼 容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错 误信号。NSG2127其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG2127采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2117是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片。NSG2117逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2117其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2117采用SOP8封装，可以在-40°℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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