BIP60015G是比亚迪设计开发的600V/15A小封装智能功率模块（IPM-Intelligent Power Module）。该产品有功耗小、封装小、抗干扰能力强等优点。与绝缘栅双极型晶体管（IGBT）相匹配，内部集成了自举二极管、欠压闭锁电路、过流保护电路和IGBT驱动电路，进一步丰富了模块功能，提高了系统的可靠性和稳定性。采用了分立的负端子，可使外围电路独立监测逆变器的每一相电流，使用更灵活。[查看]

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BIPN60015C是比亚迪公司设计开发的智能功率模块(IPM-Intelligent Power Module)。该产品具有封装小、抗干扰能力强等优点;实现了与绝缘栅双极型晶体管( IGBT)的匹配。内部集成了欠压闭锁电路、过流保护电路和驱动电路，进一步提高了系统的可靠性。内置的集成电路(HVIC)提供了无需光耦隔离的驱动功能。由于采用了分立的负端子，可独立监测逆变器的每-相电流。该产品适用于结构紧凑、性能高的交流电机驱动器，如小功率变频器、变频空调等领域。[查看]

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BIPN60015C是比亚迪公司设计开发的智能功率模块（IPM-Intelligent Power Module）。该产品具有封装小、抗干扰能力强等优点；实现了与绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的匹配。内部集成了欠压闭锁电路、过流保护电路和驱动电路，进一步提高了系统的可靠性。内置的高压集成电路（HVIC）提供了无需光耦隔离的驱动功能。由于采用了分立的负端子，可独立监测逆变器的每一相电流。该产品适用于结构紧凑、性能高的交流电机驱动器，如小功率变频器、变频空调等领域。[查看]

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BIP60015G是比亚迪设计开发的600V/15A小封装智能功率模块（IPM-Intelligent Power Module）。该产品有功耗小、封装小、抗干扰能力强等优点。与绝缘栅双极型晶体管（IGBT）相匹配，内部集成了自举二极管、欠压闭锁电路、过流保护电路和IGBT驱动电路，进一步丰富了模块功能，提高了系统的可靠性和稳定性。采用了分立的负端子，可使外围电路独立监测逆变器的每一相电流，使用更灵活。[查看]

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BIPN60020C是比亚迪公司设计开发的智能功率模块（IPM-Intelligent Power Module）。该产品具有封装小、抗干扰能力强等优点；实现了与绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的匹配。内部集成了欠压闭锁电路、过流保护电路和驱动电路，进一步提高了系统的可靠性。内置集成电路（HVIC）提供了无需光耦隔离的驱动功能。由于采用了分立的负端子，可独立监测逆变器的每一相电流。该产品适用于结构紧凑、性能高的交流电机驱动器，如小功率变频器、变频空调等领域。[查看]

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BIPN60030C是比亚迪公司设计开发的智能功率模块（IPM-Intelligent Power Module）。该产品具有封装小、抗干扰能力强等优点；实现了与绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的匹配。内部集成了欠压闭锁电路、过流保护电路和驱动电路，进一步提高了系统的可靠性。内置的高压集成电路（HVIC）提供了无需光耦隔离的驱动功能。由于采用了分立的负端子，可独立监测逆变器的每一相电流。该产品适用于结构紧凑、性能高的交流电机驱动器，如小功率变频器、变频空调等领域。[查看]

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SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

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SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

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SVF5N60T/F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

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SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

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SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

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SVF12N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]

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SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]

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SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]

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SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。[查看]

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SGT20N120NPTFDP7绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT15T120LR1P7绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SVF12N60T/F/SN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF10N60T/F/FG/S/KN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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