AGMH022N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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AGMH4015H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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AGMH035N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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TX8C1261是一款高性能低功耗的8051内核MCU，工作主频最高为48MHz，内置16K字节LogicFlash存储器（支持类EEPROM功能），2K字节SRAM。[查看]

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AGM612AP结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM609AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM302D1结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM305AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM605Q 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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FM33FR0是基于ARM Cortex-M0+的低功耗MCU，支持最大384KB程序flash、8KB数据flash和最大32KB RAM；集成12bit SAR-ADC，最大14通道按键触摸控制器，LCD/LED段码驱动，比较器等丰富外设；具备超宽工作电压范围和优异的低功耗性能。[查看]

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AGM40P30A结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM405Q结合了先进的超级沟槽II MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM4025Q结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM1010A2结合了先进的超级沟槽II MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM65R180F结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM30P10A结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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宽电压范围：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃[查看]

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宽电压范围：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃[查看]

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宽电压范围：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃[查看]

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宽电压范围：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃[查看]

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