PN8778集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8778内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8778的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8776集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8776内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8776的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8777集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8777内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8777的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8732内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。[查看]

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PN8703内部集成了电流模式控制器、高压启动模块及1700VSiC器件，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片采用CCM、QR-PFM、QR-Burst-mode的三种模式混合调制技术，搭配上特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，PN8703还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压保护、逐周期式过流保护、过载保护、输出过压保护、过温保护等。[查看]

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NSG6388 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6388采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6388其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6388采用SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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PN8282是一款高性能的功率因数校正控制器。它通过对功率管漏端波形的监控来实现零电流检测技术，节省辅助绕组。PN8282采用SOT-23-6L封装，使用较少外围器件，有效地降低系统成本。 为提升效率，PN8282工作于电感电流的临界连续模式（BCM)或断续模式（DCM）。同时由于内置THD优化功能，PN8282可以在全负载条件下实现高PF值和低THD。PN8282内置线电压前馈功能，可以根据工作状态自动计算补偿，不需要额外管脚检测线电压，使电压控制环路补偿更简单。PN8282还针对不同的外围器件参数提供了可配置的谷底开启时间功能，优化开关损耗。PN8282集成完善的保护功能，例如：过流保护、输出过压/欠压保护、过温保护等。[查看]

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PN8201是一款X电容放电专用芯片。由于放电电阻和X电容可灵活选择，电源系统易满足日益严苛的待机和安规标准，并可简化整机EMI设计难度。PN8201内置了两个高压VDMOS开关，可有效 的耐受雷击或浪涌测试的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC接入时，会有极低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内；当AC断电后，可通过放电电阻对X电容放电，避免人体触电。[查看]

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PN8215内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8215内置输入电压电测模块及X电容放电功能，通过检测输入电压、输出电压和负载变化自适应切换PWM、强制DCM、PFM和BurstMode工作模式，多模式的调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和Soft-Driver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，PN8215还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压/过压保护, 输出欠压/过压保护、过温保护、次级整流管短路保护、逐周期过流保护、过载保护等功能。[查看]

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PN7001L是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001L的输出可以提供3.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播延时典型值为2Ons。该芯片的IN+输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7213是一款高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，低至3.3V。PN7213为最小驱动器跨导而设计的高脉冲电流缓冲级，芯片内置的延时匹配功能可以更好的适配高频应用。浮地通道可用于驱动高侧的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达1200V。[查看]

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PN8560集成超低待机功耗原边控制器及SiC MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8560为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、VDD欠/过压保护、输入过压&欠压保护、输出过压&欠压保护、开环保护和过温保护等。[查看]

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ID7U603是一款基于P衬底P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。其浮动通道驱动器可用于驱动半桥配置中的两个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可支持3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。[查看]

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PN7002是一款具有负压输入过流保护的单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7002的输出可以提供2.6A拉/灌电流的峰值电流，且输入信号到输出信号传播延时典型值为50ns。该芯片的IN输入管脚兼容3.3V，5V和15V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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ID2304D是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]

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PN7001是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001的输出可以提供1.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播 延时典型值为2Ons。该芯片的IN输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7766是一款双通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7766的输出可以提供高达3A拉电流和3.5A灌电流的峰值电流脉冲，输入管脚INA、INB兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。[查看]

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XJNG2102是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。XJNG2102采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。XJNG2102其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。 XJNG2102采用SOP8封装，可以在-40℃至125C温度范围内工作。[查看]

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PN7735是一款具有保护功能的四通道低侧驱动器，其内部低侧集成了四个N沟道MOSFETs，高侧集成了四个功率二极管，可为电感负载提供续流回路。PN7735每一输出通道，单独输出时可提供1.5A持续输出电流；同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的串行输入接口控制，内部集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。[查看]

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PN7781是一款具有集成电流检测功能的微步进电机驱动芯片，节约了两个外部检测电阻。该芯片可用于全步、1/2、非循环1/2、1/4、1/8、1/16细分模式下控制双极性步进电机。微步进模 式可由M0、M1逻辑输入选择。PN7781能够输出高达1.5A的峰值电流，最大平均输出电流为1A（采用适当的印刷电路板，电压为24V，环境温度：25°C)。通过nSLEEP引l脚，该器件可提供一种低功耗的睡眠模式，从而实现超低功耗待机。该芯片集成了电源欠压、电荷泵欠压、过流、短路以及过温保护等功能，并且可以将错误状态通过nFAULT反馈给MCU，保障电机安全工作。该芯片的输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，24V和25°C条件下，高侧导通电阻加低侧导通电阻为0.86ohm。[查看]

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