NSH156PQ是一款15A、600V半桥智能功率模块，面向电机驱动应用开发。器件采用小型5×6mm PQFN封装，集成15A/600V MOSFET栅极驱动器与自举电路功能，可灵活用于单相、三相直流无刷电机驱动。[查看]

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PN8054P集成PFM控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8054P内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括VDD欠压保护，过温保护。另外PN8054P的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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NSH706PQ是一款7A、600V半桥智能功率模块，适用于电机驱动场景。该器件采用小型5×6mm PQFN封装，集成7A/600V MOSFET栅极驱动器与自举电路功能，可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动。[查看]

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NSMD12S60C1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMD12S60C1内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NSMD12S60C1采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。[查看]

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NSMD10S60C1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMD10S60C1内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NSMD10S60C1采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。[查看]

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NSH126PQ是一款面向电机驱动应用的12A、600V半桥智能功率模块，内部集成了12A/600V MOSFET栅极驱动器和自举功能，采用紧凑的PQFN 5×6mm封装。该产品可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动。[查看]

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PN8775P集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8775P内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8775P的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8182集成PFM控制器以及750V高可靠性MOSFET，用于高性能交直流转换电源。PN8182内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。PN8182内部集成过零检测电路，可输出交流过零信号。PN8182内部集成了输入过压保护功能，当输入电压超过设定的阈值时禁止MOS管开关。同时该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，VDD欠压保护，过载保护，过温保护等。[查看]

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PN8770集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8770内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8770的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8754内部集成了多模式PWM控制器及800V高可靠性智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8754根据输入电压、输出电压和负载自适应切换全频PWM、PFM、低频PWM和BurstMode，实现了全负载范围内的高效率。内置800V高压启动模块，实现了系统快速启动以及超低的待机功耗。频率调制技术充分保证系统良好的EMI表现。优异的软启动功能降低了启机时的功率器件应力。同时，PN8754还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入过欠压保护、输出过载保护、逐周期过流保护、过温保护、输出过压保护等。[查看]

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PN8757内部集成了多模式PWM控制器及800V高可靠性智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8757根据输入电压、输出电压和负载自适应切换全频PWM、PFM、低频PWM和Burst Mode，实现了全负载范围内的高效率。内置800V高压启动模块，实现了系统快速启动以及超低的待机功耗。频率调制技术充分保证系统良好的EMI表现。优异的软启动功能降低了启机时的功率器件应力。同时，PN8757还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入过欠压保护、輸出过载保护、逐周期过流保护、过温保护、输出过压保护等。[查看]

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PN8779集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8779内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8779的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8778集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8778内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8778的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8776集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8776内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8776的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8777集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8777内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8777的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8732内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。[查看]

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NSG6388 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6388采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6388其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6388采用SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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PN8201是一款X电容放电专用芯片。由于放电电阻和X电容可灵活选择，电源系统易满足日益严苛的待机和安规标准，并可简化整机EMI设计难度。PN8201内置了两个高压VDMOS开关，可有效 的耐受雷击或浪涌测试的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC接入时，会有极低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内；当AC断电后，可通过放电电阻对X电容放电，避免人体触电。[查看]

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PN7001L是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001L的输出可以提供3.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播延时典型值为2Ons。该芯片的IN+输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7213是一款高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，低至3.3V。PN7213为最小驱动器跨导而设计的高脉冲电流缓冲级，芯片内置的延时匹配功能可以更好的适配高频应用。浮地通道可用于驱动高侧的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达1200V。[查看]

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