PN8732内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。[查看]

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NSG6388 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6388采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6388其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6388采用SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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PN8201是一款X电容放电专用芯片。由于放电电阻和X电容可灵活选择，电源系统易满足日益严苛的待机和安规标准，并可简化整机EMI设计难度。PN8201内置了两个高压VDMOS开关，可有效 的耐受雷击或浪涌测试的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC接入时，会有极低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内；当AC断电后，可通过放电电阻对X电容放电，避免人体触电。[查看]

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PN7001L是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001L的输出可以提供3.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播延时典型值为2Ons。该芯片的IN+输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7213是一款高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，低至3.3V。PN7213为最小驱动器跨导而设计的高脉冲电流缓冲级，芯片内置的延时匹配功能可以更好的适配高频应用。浮地通道可用于驱动高侧的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达1200V。[查看]

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PN8560集成超低待机功耗原边控制器及SiC MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8560为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、VDD欠/过压保护、输入过压&欠压保护、输出过压&欠压保护、开环保护和过温保护等。[查看]

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ID7U603是一款基于P衬底P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。其浮动通道驱动器可用于驱动半桥配置中的两个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可支持3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。[查看]

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PN7002是一款具有负压输入过流保护的单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7002的输出可以提供2.6A拉/灌电流的峰值电流，且输入信号到输出信号传播延时典型值为50ns。该芯片的IN输入管脚兼容3.3V，5V和15V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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ID2304D是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]

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PN7001是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001的输出可以提供1.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播 延时典型值为2Ons。该芯片的IN输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7766是一款双通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7766的输出可以提供高达3A拉电流和3.5A灌电流的峰值电流脉冲，输入管脚INA、INB兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。[查看]

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XJNG2102是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。XJNG2102采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。XJNG2102其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。 XJNG2102采用SOP8封装，可以在-40℃至125C温度范围内工作。[查看]

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PN7735是一款具有保护功能的四通道低侧驱动器，其内部低侧集成了四个N沟道MOSFETs，高侧集成了四个功率二极管，可为电感负载提供续流回路。PN7735每一输出通道，单独输出时可提供1.5A持续输出电流；同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的串行输入接口控制，内部集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。[查看]

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PN7781是一款具有集成电流检测功能的微步进电机驱动芯片，节约了两个外部检测电阻。该芯片可用于全步、1/2、非循环1/2、1/4、1/8、1/16细分模式下控制双极性步进电机。微步进模 式可由M0、M1逻辑输入选择。PN7781能够输出高达1.5A的峰值电流，最大平均输出电流为1A（采用适当的印刷电路板，电压为24V，环境温度：25°C)。通过nSLEEP引l脚，该器件可提供一种低功耗的睡眠模式，从而实现超低功耗待机。该芯片集成了电源欠压、电荷泵欠压、过流、短路以及过温保护等功能，并且可以将错误状态通过nFAULT反馈给MCU，保障电机安全工作。该芯片的输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，24V和25°C条件下，高侧导通电阻加低侧导通电阻为0.86ohm。[查看]

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PN7711是一款具有四通道的低侧驱动器，其内部低侧集成了四个具有保护功能的NMOSFET，高侧集成了四个功率二极管，可以为感性负载提供续流回路。每一输出通道，单独输出时可提供1.5A持续输出电流；同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的并行输入接口控制，内部集成了过温保护、输出短路保护等保护电路。[查看]

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PN7716是一款具有低功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片，其可以驱动一个步进电机、两个直流电机、两通道并联驱动一个直流电机或者独立半桥驱动继电器等。PN7716的输出级是两个NMOS组成的H桥，高侧导通电阻0.3ohm，低侧导通电阻0.4ohm，用于驱动电机绕组或者四个独立半桥（可通过IC选择）。[查看]

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PN7703C是一款具有超低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护和输出短路保护等功能。芯片驱动级为HVCMOS结构，导通电阻：HS+LS=0.8ohm。[查看]

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PN7706是一款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达安全工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻0.3ohm，低侧导通电阻0.3ohm。[查看]

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AGMH022N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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AGMH4015H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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