NSH305M0PC是一款专为电机驱动应用设计的3A、500V半桥智能IPM模块。该器件采用小巧的ESOP13封装，集成了3A/500V的MOSFET栅极驱动器和自举升压功能。其设计灵活，可广泛应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统中。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcdl500v.html

NSH405M0PC是一款4A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了4A/500V MOSFET栅极驱动器与自举升压功能，采用紧凑的ESOP13封装。它可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcdl4a50.html

NSH506B0PC是一款5A、650V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了5A/650V MOSFET栅极驱动器与自举升压功能，采用紧凑的ESOP13封装，可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcdl5a65.html

NSH705M1PC是一款7A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了7A/500V MOSFET栅极驱动器与自举升压功能，采用紧凑的ESOP13封装，可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcdl7a50.html

NSG44273是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅极驱动芯片。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG44273逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggdls2adtd.html

G2022是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2022采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2022其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2022采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjc250v1232.html

NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2023采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2023集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2023其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2023采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggdls250v4.html

NSG27531是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位 栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁 棒性的单芯片集成结构。NSG27531逻辑输入电平兼容[查看]

http://www.zm699.com/Products/nsg275312a.html

NSG21814是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V 。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

http://www.zm699.com/Products/nsg21814gg.html

NSG2007是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2007采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2007其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2007集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2007采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作[查看]

http://www.zm699.com/Products/nsg2007ggj.html

NSG2184 是高压、 高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱 动系列芯片， 具有单输入信号同时控制两个传输通道。 内部集成了高、 低侧欠压锁定电路、 过压钳位电路、 和防直通锁定电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出 能力， 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平， 输出电流能力最大可达 4A， 其 浮地通道最高工作电压可达 700V。 可用于驱动 N 沟道 高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcdlstg7.html

NSG21271是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21271采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。NSG21271其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG21271采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcnsg212.html

NSG20752是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片。NSG20752采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电乎，输出具有大电流脉冲能力。NSG20752其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达200V。NSG20752 采用SOT23-6 封装，可以在-40'C至125℃C温度范围内工作。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjc200vdx.html

NSG6020是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能 力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjc70ovdd.html

NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的门锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjc4adtdd.html

PN3744集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3744内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3744的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

http://www.zm699.com/Products/xpwdzdlspn.html

PN3746集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外围元器件极精简的小功率作隔离开关电源，PN3746内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3746的降频调制技术有叫于改善EMI特性。[查看]

http://www.zm699.com/Products/xpwdzdlsp88992n.html

PN555M集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN555M内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN555M具有优异的EMI特性。[查看]

http://www.zm699.com/Products/xpwgd5v450.html

PN3734集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3734内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3734的降频调制技术有助丁改善EMI特性。[查看]

http://www.zm699.com/Products/xpwdls12vs.html

NSG27526器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管（IGBT）电源开关。NSG27526能够将高达4A拉电流和4A灌电流的高峰值电流脉冲传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为20ns的极小传播延迟。[查看]

http://www.zm699.com/Products/ggjcnsg2755.html