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- PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。[查看]
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- PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。[查看]
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- AP2007是一款紧凑型,效率高同步升压转换器,内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值),空载或轻载时,AP2007为节能的PFM工作模式。当负载大于150mA时,采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快速瞬态响应。[查看]
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- AP5054B是一个单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片,其SOT封装的极少的外围元件非常适合应用于便携式产品,而且AP5054B专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构,不需要外部感应电阻的隔离二极管,当外部环境温度过高或在大功率工作时,热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定在4.2V,充电电流可通过外部电阻设置。当充电电流在达到浮充电压之后设定值1/10时,AP5054B将自动终止充电循环。[查看]
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- AP2000 是一款1.2MHz 固定开关频率,效率高,同步升压转换器。能够用于单节干电池产生3.3V电压并提供100mA 以上的驱动能力。AP2000 内部集成了NMOS 主开关管和PMOS 的同步整流管,1.2MHz的开关频率可以使用小型化的电感和陶瓷电容,减小了整体应用方案尺寸。电流模式PWM 方式的内部补偿,减少了外围元件,提高了瞬态响应能力。内部振铃抑制电路减少了开关端EMI辐射。当关断电路时,AP2000自身消 耗电流低于1uA。AP2000采用6引脚的扁平SOT-23 封装。可提供固定输出电压版本和可调输出电压版本。[查看]
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- AIP1668是带键盘扫描口的LED驱动控制电路,内部集成有MCU数字接口,数据锁存器,键盘扫描等电路。本产品主要应用于VCR,VCD,DVD及家庭影院等产品的显示屏驱动。[查看]
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- AP2008是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时,AP2008工作在轻负载模式。静态电流为100uA,内部NMOS管导通电阻为200mΩ,保证在整个输出负载范围内效率高。2A峰值电流使得AP2008可以提供1A输出负载电流,非常适应于MID和移动电源。输入电压范围3V~ 25V。内部工作频率是设定在1.0MHz。 AP2008采用6引脚的扁平SOT-23封装。[查看]
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- AP2960是一款宽输入范围,效率CC/CV功能的降压芯片,既可以CV(恒压)输出,也可以CC(恒流)输出。AP2960可在350kHz的开关频率下提供3.0A输出电流。AP2960不需要使用高成本的精密电流采样电阻,非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻,相比传统恒流开关稳压器拥有转换效率。保护特性包括逐周期限流,热关断以及短路恢复功能。SOP8-EP封装,工作时仅需要较少的外围器件。[查看]
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- PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。[查看]
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