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- PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 PN8175内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8175的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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- PN6770H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足 6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
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- MD70H集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT,用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源. MD70H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431.在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节.该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等,同时还集成AC过压保护功能.[查看]
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- PN8011集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整。PN8011内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8011的降频调制技术有助于 EMI特性。[查看]
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- The PN7336 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with a three independent high and low sidereferenced output channels for 3-phase applications. The floating channels can be used to drive N-channel power MOSFETs or IGBTs in the high side configuration which operates up to 600V. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs,down to 3.3V logic.[查看]
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- PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。[查看]
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- PN8386集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。[查看]
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- SDC2258是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片内部集成 500V 功率管,工作电流很低,无需变压器辅助绕组检测和供电,极大的节约了系统成本和体积。[查看]
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- SDC2256是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片内部集成 500V 功率管,工作电流很低,无需变压器辅助绕组检测和供电,极大的节约了系统成本和体积。[查看]
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- SDC2253是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片内部集成 500V 功率管,工作电流很低,无需变压器辅助绕组检测和供电,极大的节约了系统成本和体积。[查看]
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- AP8266是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片,典型功率12V3A,具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8266内置绿色降频工作模式,根据负载情况调节工作频率,减少了开关损耗,从而获得较低的待机功耗的较高的转换效率。同时AP8266提供了丰富的保护,包括:逐周期过流保护、过压保护、过压箝位、欠压锁存、过温保护、过载保护,同时具有软启动和间歇工作模式功能。一旦出现故障,芯片进入自动重启状态故障排除。[查看]
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