国硅集成 NSG27710单相高低侧功率栅极驱动芯片
产品分类： 栅极驱动IC
NSG27710是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG27710采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
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国硅集成NSG27710单相高低侧功率栅极驱动芯片
一、概述
NSG27710是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG27710采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG27710其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG27710采用SOP8封装，
可以在-40℃至125C温度范围内工作。
可以在-40℃至125C温度范围内工作。
二、产品特性
自举工作的浮地通道
最高芯片耐压为+650V
兼容3.3V,5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
集成VCC、VBS欠压锁定电路
-.VCC欠压锁定阈值8.7V/7.7V
-VBS欠压锁定阈值8.2V/7.3V
芯片传输延时特性
-开通/关断传输延时Ton/Toff=250ns/150ns
…延迟匹配时间小于50ns
防止直通保护
-死区时间130ns
宽温度范围·40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力0.6A/1A
符合RoSH标准
SOP8 (S)
三、应用
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
逆变器驱动
四、器件信息
五、简化示意图
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