PN8356恒流驱动ic采用经典可靠控制平台：PFM提高转换效率+分段变Ipk降低音频噪声。该芯片内部集成的MOSFET在高雪崩能力DMOS的基础上添加了启动管、电流采样管、温度采样管、CS短路保护等智能检测保护模块，成为Smart MOSFET，该独有技术已获得2项美国专利授权。

  下面我们就来具体介绍PN8356恒流驱动ic六级能效5V2A充电器方案。方案特征：输入电压：90~265Vac全电压，输出电压：5V，输出电流：1A，平均效率：76%, PN8356恒流驱动ic满足六级能效要求，高压启动待机功耗<75mW，CV、CC精度<5%，过温保护、VDD过欠压保护，FB开短路保护、CS开短路保护。

  PN8356恒流驱动ic一直许多工程师非常关注的，EMC及其他，EMI传导、辐射满足EN55022 Class B标准要求，裕量均大于6.0dB；ESD满足IEC61000-4-2，8kV/15kV等级要求；EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，2kV等级要求；Surge满足IEC 61000-4-5:2005，1kV等级要求；交流绝缘满足3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求，所以PN8356恒流驱动ic在能效方面是完全没有问题的，能满足最新的六级能效要求。

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