NSG2061Q NSG2063Q NSG2065Q可以替代FD6288Q半桥栅极驱动芯片
大家都知道FD6288T&Q一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达+250V电压下工作。国硅集成的半桥栅极驱动芯片NSG2061Q/NSG2063Q/NSG2065Q可以替代这个FD6288Q，
NSG2061Q是三相桥驱动芯片，高低侧同相，浮地通道最高工作电压可达250V，输出拉电流/灌电流能力为1.5A/1.8A，兼容3.3V/5V输入逻辑，具有防直通死区逻辑和欠压锁定功能，封装为QFN24。FD6288Q也是三相桥驱动芯片，悬浮绝对电压250V，输出电流+1.5A/-1.8A，电源电压工作范围5.0-20V，同样兼容3.3V/5V输入逻辑，内置欠压保护、直通防止和死区时间控制。两者的主要参数和功能高度一致，因此NSG2061Q可以替代FD6288Q。
NSG2065Q与FD6288Q对比：NSG2065Q是三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，浮动通道驱动设计可容纳总线电压高达250V，输出拉灌电流可以达到 1.2A/1.5A，工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效率，内部防直通和死区电路可以防止两个晶体管同时导通，欠压锁定功能确保了当供电电压较低时，两个驱动器输出都是低电平，集成自举二极管，可最大优化芯片外围电路。可以作为替代方案。
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