国硅集成650V单通道半桥栅极驱动芯片NSG6000的应用，可替代InfineonIR210X
一、概述
NSG6000半桥栅极驱动芯片是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能，防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定。
二、主要特征
PIN2PIN替换InfineonIR210X
最高芯片耐压650V
兼容3.3V，5V，15V输入逻辑
Vs负偏压能力达-9V
放
防直通保护：
——死区时间130ns
欠压锁定
——VCC欠压锁定阀值8.7V/7.7V
——VBS欠压锁定阀值8.2V/7.3V
驱动电流能力：
—─拉电流/灌电流=0.6A/1A
SOP8封装
三、电路
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四、NSG6000半桥栅极驱动芯片应用推荐
五、NSG6000半桥栅极驱动芯片冰箱应用电路
六、NSG6000-VS负偏压测试数据
七、NSG6000 + NCE06ER65BK Switching测试
八、NSG6000-与竞品参数对比
| 项目 | NSG6000 | XX2206 | XX2304 |
| UVLO+(V) | 8.80 | 8.85 | 9.03 |
| UVLO-(V) | 7.80 | 8.18 | 8.23 |
| lo+(A) | 0.56 | 0.27 | 0.37 |
| lo-(A) | 1.17 | 0.36 | 0.72 |
| Iq(uA) | 68 | 160 | 208 |
国硅产品相比市场上同类型号产品：
——电流能力更大，可以驱动电流能力更大的功率管；
——静态电流更低，更低的功耗。
九、NSG6000半桥栅极驱动芯片拉灌电流测试数据
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