场效应管 - 产品搜索

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[无线快充芯片] 集成驱动及双开关管的无线充电发射端功率芯片--PN7725[ 2018-10-17 ]

: PN7725是一款用于无线充电的智能功率芯片。该芯片集成了驱动及两颗功率级场效应管，内置自举高压PMOS，内置5V/30mA LDO，具有自适应死区功能。该芯片还集成了欠压保护和过温保护功能。芯片采用SOP8-PP封装，具有良好的散热性能。[查看]; http://www.zm699.com/Products/jcqdjskggd.html

[DC-DC芯片] 同步PFM升压DC/DC转换器--AP2203[ 2017-12-01 ]

: AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片，其内部主要由参考电压基准，振荡器，比较器组成，输出电压纹波低，转换效率高，带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便携式产品。[查看]; http://www.zm699.com/Products/tbpfmsydcd.html

[cool mos管] 5A 800V N沟道增强型场效应管--SVF5N80F/T/MJ/K[ 2017-06-21 ]

: SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。[查看]; http://www.zm699.com/Products/5a800vngdz.html

[mos管] 10A、650V N沟道增强型场效应管--SVF10N65T/F/K/S[ 2014-11-28 ]

: SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]; http://www.zm699.com/Products/10a650vngd.html

[mos管] 7A、650V N沟道增强型场效应管--SVF7N65T/F/K/S[ 2014-11-28 ]

: SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]; http://www.zm699.com/Products/7a650vngdz.html

[mos管] 5A、600V N沟道增强型场效应管--SVF5N60T/F/D/MJ/K[ 2014-11-28 ]

: SVF5N60T/F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]; http://www.zm699.com/Products/5a600vngdz.html

[mos管] 4A、650V N沟道增强型场效应管--SVF4N65T/F/M/MJ/D/K[ 2014-11-28 ]

: SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]; http://www.zm699.com/Products/4a650vngdz.html

[mos管] 3A、800V N沟道增强型场效应管--SVF3N80M/MJ/F/D[ 2014-11-28 ]

: SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]; http://www.zm699.com/Products/3a800vngdz.html

[mos管] 12A、650V N沟道增强型场效应管--SVF12N65T/F/K/S[ 2014-11-28 ]

: SVF12N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]; http://www.zm699.com/Products/12a650vngd.html

[mos管] 7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F[ 2014-11-28 ]

: SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]; http://www.zm699.com/Products/7a800vngdz.html

[mos管] 2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D[ 2014-11-28 ]

: SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]; http://www.zm699.com/Products/2a600vngdz.html

[mos管] 1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H[ 2014-11-28 ]

: SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。[查看]; http://www.zm699.com/Products/1a600vngdz.html

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