高低侧栅极驱动芯片

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[栅极驱动IC] 国硅代理商250V4A 单相高低侧功率栅极驱动芯片NSG2023[ 2025-12-30 ]

: NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2023采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2023集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2023其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2023采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]; http://www.zm699.com/Products/ggdls250v4.html

[栅极驱动IC] NSG2007国硅集成250V半桥高低侧栅极驱动芯片东莞市中铭电子[ 2025-12-29 ]

: NSG2007是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2007采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2007其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2007集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2007采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作[查看]; http://www.zm699.com/Products/nsg2007ggj.html

[栅极驱动IC] NSG21814 国硅集成700V半桥高低侧栅极驱动芯片[ 2025-12-29 ]

: NSG21814是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V 。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]; http://www.zm699.com/Products/nsg21814gg.html

[栅极驱动IC] 国硅集成代理商提供700V大电流、高低侧栅极驱动芯片NSG2184[ 2025-12-19 ]

: NSG2184 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。[查看]; http://www.zm699.com/Products/ggjcdlstg7.html

[电机驱动芯片] 高低侧栅极驱动芯片-PN7011[ 2024-07-17 ]

: PN7011是-款具有独立高低侧输出通道的高压高速驱动器,浮动通道可用于驱动高压电源开关，其工作电压高达150V,该芯片具有以下几个主要性能，峰值输出上拉和下拉电流提高到4A拉电流和4A灌电流，因此在MOSFET的米勒平台转换期间用尽可能小的开关损耗驱动大功率MOSFET。[查看]; http://www.zm699.com/Products/gdczjqdxpp.html

[电机驱动芯片] 芯朋微200V高低侧栅极驱动芯片-ID2006半桥驱动IC[ 2024-07-17 ]

: ID2006是-款基于P衬底、P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，具有独立的高低边参考输出通道。该浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET,工作电压高达200V。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力。[查看]; http://www.zm699.com/Products/xpw200vgdc.html

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