PN8775P集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8775P内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8775P的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8182集成PFM控制器以及750V高可靠性MOSFET，用于高性能交直流转换电源。PN8182内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。PN8182内部集成过零检测电路，可输出交流过零信号。PN8182内部集成了输入过压保护功能，当输入电压超过设定的阈值时禁止MOS管开关。同时该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，VDD欠压保护，过载保护，过温保护等。[查看]

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PN8770集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8770内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8770的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8754内部集成了多模式PWM控制器及800V高可靠性智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8754根据输入电压、输出电压和负载自适应切换全频PWM、PFM、低频PWM和BurstMode，实现了全负载范围内的高效率。内置800V高压启动模块，实现了系统快速启动以及超低的待机功耗。频率调制技术充分保证系统良好的EMI表现。优异的软启动功能降低了启机时的功率器件应力。同时，PN8754还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入过欠压保护、输出过载保护、逐周期过流保护、过温保护、输出过压保护等。[查看]

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PN8757内部集成了多模式PWM控制器及800V高可靠性智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8757根据输入电压、输出电压和负载自适应切换全频PWM、PFM、低频PWM和Burst Mode，实现了全负载范围内的高效率。内置800V高压启动模块，实现了系统快速启动以及超低的待机功耗。频率调制技术充分保证系统良好的EMI表现。优异的软启动功能降低了启机时的功率器件应力。同时，PN8757还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入过欠压保护、輸出过载保护、逐周期过流保护、过温保护、输出过压保护等。[查看]

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PN8779集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8779内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8779的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8778集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8778内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8778的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8776集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8776内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8776的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8777集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8777内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8777的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8732内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。[查看]

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PN8703内部集成了电流模式控制器、高压启动模块及1700VSiC器件，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片采用CCM、QR-PFM、QR-Burst-mode的三种模式混合调制技术，搭配上特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，PN8703还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压保护、逐周期式过流保护、过载保护、输出过压保护、过温保护等。[查看]

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PN8215内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8215内置输入电压电测模块及X电容放电功能，通过检测输入电压、输出电压和负载变化自适应切换PWM、强制DCM、PFM和BurstMode工作模式，多模式的调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和Soft-Driver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，PN8215还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压/过压保护, 输出欠压/过压保护、过温保护、次级整流管短路保护、逐周期过流保护、过载保护等功能。[查看]

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PN8560集成超低待机功耗原边控制器及SiC MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8560为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、VDD欠/过压保护、输入过压&欠压保护、输出过压&欠压保护、开环保护和过温保护等。[查看]

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PN8141内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。[查看]

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PN8782内部集成了电流模式控制器和高压启动模块以及高性能GaNFET，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8782根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-LockMode、PFM和BurstMode，多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。[查看]

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PN8712H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。非常适合工业辅助电源、电源适配器等应用。PN8712H芯片内置智能高压启动模块，无需启动电阻。芯片内部集成误差放大器，可设计于反激非隔离或者隔离应用环境，满足不同的应用需求。芯片通过PWM模式、降频模式、BM模式三种工作模式混合调节，以及特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。驱动优化和频率调制使得芯片具有良好的EMI表现。同时，PN8712H提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括过载保护、逐周期过流保护、VDD过压保护、CS短路保护、过温保护。[查看]

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PN8276W内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8276W内置Boost电路以适应3- -20V的可变宽范围输出应用。该芯片通过检测输入电压、输出电压和负载变化自适应切换PWM、强制DCM、PFM和Burst _Mode工作模式，多模式的调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和Soft-Driver 技术充分保证系统的良好EMI表现。[查看]

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PN8733电源管理芯片内部集成了脉搏控制控制器和功率率MOSFET，专用于高性能，外国元器件精筒的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调)，过载保护，过压保护，CS短路保护，软启动功能。通辻Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技木和特殊器件低功耗结构技木突现了超低的待机功耗，全电压范围下的最佳效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模快。PN8733为需求超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个前沿的实现平台，非常适合智能电表，Eur2.o.能源之星的应用。[查看]

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PN8213内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8213根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode,多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。[查看]

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PN8212内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8212根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和BM工作模式，多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了高压输入时开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。频率调制技术充分保证系统的良好EMI表现。内置了线电压补偿模块,提高了在全输入电压范围内的带载能力-致性。同时,PN8212还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压/过压保护、输出过压保护、过温保护、次级整流管短路保护、逐周期过流保护、过载保护等功能。[查看]

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