内置高压MOSFEET、高PFC、高恒流精度、非隔离led照明芯片--SD690XS
- 11A，600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
- SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
- 高精密气压、高度传感器--HP206C
- HP206C 是高分辨率（0.1meter）压力传感器，带有 I2C 接口，包括一个硅压阻压力元件和一个高分辨率 24 位△∑ ADC 。HP206C 提供高精度 24 位压力和温度数字输出，客户可以根据应用需要转换速度和高度，所有内置计算采用了高速 4MHz 的浮点运算，计算误差小，数据补偿是内部集成，通讯连接非常简单，高度及温度上下限比较的可编程事件及中断输出控制。HP206C 传感器是采用不锈钢盖子表面封装和符合 RoHS 标准 。
- POWER MOSFET--2N60
- The UTC 2N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
内置高压MOSFEET、高PFC、高恒流精度、非隔离led照明芯片
型号：SD690XS
一、描述
SD690XS是一款专用于非隔离led驱动的控制芯片，外围应用采取浮地Buck架构，内置600V高压功率MOSFET。在该架构下，芯片采样电感电流进入内部，并利用内部误差放大器形成闭环反馈网络，从而达到高恒流精度和高输入/输出调整率。同时，芯片自带PFC控制，自动实现全电压范围高PF值。芯片的临界导通模式减小开关损耗，提高系统转换效率。
SD690XS内部集成各种保护功能，包括输出开路保护，输出短路保护，逐周期过流保护，过温保护，VCC过压保护等。
SD690XS具有超低的启动电流和工作电流，可在全电压输入范围内（85VAC~265VAC）高效驱动高亮度led。
二、特性
l 恒流控制模式（专利）
l 内置600V高压功率MOSFET
l 精确恒定电流（<±3%）供给led
l 全电压输入范围PF>0.9
l 临界导通模式
l Led短路保护（专利）
l Led开路保护
l VCC过压欠压保护
l 过温保护
l 过电流保护
三、应用
l 球泡灯
l T5/T8LED灯具
l 各式led照明应用场合
四、封装
五、内部框图
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