11A，600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
- POWER MOSFET--2N60
- The UTC 2N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
11A，600V DP MOS功率管
型号：SVS11N60T/F
一、描述
SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有效果高，高功率密度，提高热行为。此外，SVS11N60T/F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓补。
二、特点
11A,600V,R_DS(on)(典型值)=0.3Ω@V_GS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
三、最大参数
四、封装
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