国硅集成250V 1.2A单相高低侧栅国产栅极驱动芯片-G2021
产品分类： 栅极驱动IC
G2021是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑G2021其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2021采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
订购热线：18929103949
国硅集成250V 1.2A单相高低侧栅国产栅极驱动芯片-G2021
一、产品概述
G2021是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑G2021其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2021采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、产品特性
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容 3.3V,5V和 15V输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从6V到20V
集成欠压锁定电路
-欠压锁定正向阀值5.5V
-欠压锁定负向阈值5V
防直通死区逻辑
-死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
-开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/140ns
-延迟匹配时间50ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准
SOIC8封装
最高工作电压为+250V
兼容 3.3V,5V和 15V输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从6V到20V
集成欠压锁定电路
-欠压锁定正向阀值5.5V
-欠压锁定负向阈值5V
防直通死区逻辑
-死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
-开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/140ns
-延迟匹配时间50ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准
SOIC8封装
三、应用范围
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动
四、器件信息
五、简化示意图
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销售部电话：0769-81150556
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