- PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器,通过外驱N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特 基二极管,以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV,控制器驱动外 部的功率MOSFET开启;当芯片检测到功率MOSFET流过的电流降低到阈值-10mV时,控制器驱动功率MOSFET关闭。该芯片 提供了优异的辅助功能,包含输出欠压保护等功能。PN8300内置高压启动电路可支持输出电压2V时,系统仍能正常工作。[查看]
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- PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。[查看]
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- PN8368 集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。[查看]
- http://www.zm699.com/Products/fgldjghzxz.html
- PN8370 5V2.4A/5V2A集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。[查看]
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- PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8015M 内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8015M的降频调制技术有助于 EMI特性。[查看]
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- PN8359 5V2.4A/12V1A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得能够满足较高的待机功耗标准。在恒流模式,电流和输出功率可通过CS脚的Rs电阻进行调节;在恒压模式,PFM工作模式可获得较高的性能和效率。轻载时,该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。另外,输出线补偿功能有助于获得较好的负载调整率。[查看]
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- PN8355 5V1A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8355工作在原边检测和调整模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得能够满足较高的待机功耗标准。在恒流模式,电流和输出功率可通过CS脚的Rs电阻进行调节;在恒压模式,PFM工作模式可获得较高的性能和效率。轻载时,该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。另外,输出线补偿功能有助于获得较好的负载调整率。[查看]
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