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- Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology.The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]
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http://www.zm699.com/Products/lt10anqd65.html
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- AP2016是一款功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围 2.7V ~12V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压的充电端口HVDCP的移动电源。[查看]
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http://www.zm699.com/Products/10aglmdjgt.html
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- AP2018是一款高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围2.7V~9V供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压充电端口HVDCP的移动电源。由于采用电流模PWM控制架构,AP2018在定频时可获得瞬态响应，在轻载时处于PFM模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(ON) 功率开关，在轻载和重载下都保持。其他保护特性包括软启动，逐周期峰值限流，热关断，输入欠压保护和栅极驱动UVLO。AP2018采用SO8-EP封装，既有利于紧凑的解决方案又能较好的散热。[查看]
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- BF6910AX是基于27个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸。其内置MCU,可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。 BF6916AX通过IIC和UART与主机进行通信。[查看]
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http://www.zm699.com/Products/xjbgcmicxp.html
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- SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]
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http://www.zm699.com/Products/10a650vngd.html
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- SBD10C150T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。[查看]
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http://www.zm699.com/Products/10a150vxtj.html
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- SBD10C200T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。[查看]
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http://www.zm699.com/Products/10a200vxtj.html
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- SBD10C100T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。[查看]
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http://www.zm699.com/Products/10a100vxtj.html
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- BF6910AX/11AX是基于10/14/22个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸，其内置MCU,可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮，滑条等多种应用。 10/14/22个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。 BF6910AX/11AX通过IIC与主机进行通信。 BF6910AX/11AX包含一个主频为24MHZ的单片机内核和一些其它外围设备[查看]
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