具有Trench FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管--BGN25T120SD
- 电磁炉上IGBT--SGT15T120LR1P7
- SGT15T120LR1P7绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。
- IGBT晶体管--SGT20T120NPTFDP7
- SGT20N120NPTFDP7绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。
具有Trench FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管--BGN25T120SD
一 概述
IGBT in advancedTrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode.
具有Trench FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管.
二 特征
* 1200V Trench FS technology（1200V Trench FS技术）
* Low conduction and switching losses（低导通和开关损耗）
* Saturation voltage:VCE(sat), typ=1.9V@ IC=25A and TC=25°C
（通态压降,VCE(sat), typ=1.9V@IC=25A and Tc=25°C）
* Low gate charge（低栅极电荷）
三 应用
*UPS（不间断电源）
*Inverter（变频器）
四 封装
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