30V N+P双通道复合MOS管AGM310MD适用于低压大电流同步整流、负载开关、电池保护专用功率管
产品分类： 功率器件
AGM310MD芯片采用先进沟槽型MOSFET工艺，并搭配低阻封装设计，实现极低的导通电阻RDS (ON)。该器件非常适用于负载开关与电池保护电路场景。
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30V N+P双通道复合MOS管AGM310MD
适用于低压大电流同步整流、负载开关、电池保护专用功率管
一、概述
AGM310MD芯片采用先进沟槽型MOSFET工艺，并搭配低阻封装设计，实现极低的导通电阻RDS (ON)。该器件非常适用于负载开关与电池保护电路场景。
二、特性
采用高密度沟槽先进工艺
极低导通电阻，大幅降低导通损耗
栅电荷小，开关速度快
低热阻
100%雪崩耐受测试
100%漏源耐压测试
三、应用
主板/显卡核心供电
开关电源次级同步整流
负载点电源应用
无刷直流电机驱动
四、封装订购信息
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