ID7S625高压600V逆变器驱动芯片可替代IR2110

ID7S625逆变器驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，具有独立的高低侧输出通道。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动一个N

沟道功率.MOSFE或IGBT半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3V。具有大电流输出能力。芯片内置的延时匹配功能可以为更好的适配高频应用。

ID7S625逆变器驱动芯片主要特性高侧浮动偏移电压600V、输入逻辑兼容3.3V/5V/15V、自举工作的浮地通道、芯片工作电压范围10V~20V、所有通道均具有欠压保护功能(UVLO)、输出

电流能力2.5A、所有通道均有延时匹配功能，主要应用于DC/DC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等产品。

备注:

1.IGBT的Vcc电源电压应为15V，MOEFET 的则为12V至15V;

2.栅极和电源设备之间的下拉电阻器，值为10k9;

3.驱动电路的开通关断通道应独立，电阻值根据功率器件而定;

4.Vcc和自举二极管之间的电阻，避免VBs dv/dt.

另：ID7S625逆变器驱动芯片可以直接替代IR2110这颗驱动芯片。