AGM芯控源214A 40V-N沟道功率场效应管AGM4013A-CP
产品分类： 功率器件
AGM4013A-CP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关及电池保护场景。
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AGM芯控源214A 40V-N沟道功率场效应管AGM4013A-CP
一、概述
AGM4013A-CP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关及电池保护场景。
二、特性
新一代高密度单胞沟槽先进工艺
极低漏源导通电阻，最大限度降低导通损耗
栅电荷低，支持高速开关
低热阻
100%雪崩耐压测试合格
100%额定漏源电压耐压全检合格
三、应用
主板/显卡核心电压（MB/VGA Vcore）供电
开关电源（SMPS）次级同步整流
负载点（POL）电源应用
无刷直流电机（BLDC）驱动器
四、封装/订购信息
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