AGMSEMI芯控源N沟道+P沟道复合场效应管MOSFET-AGM218MAP
产品分类： 功率器件
AGM218MAP器件融合先进沟槽型MOSFET工艺与低阻封装设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），适用于负载开关及电池保护场景。
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AGMSEMI芯控源N沟道+P沟道复合场效应管MOSFET-AGM218MAP
一、概述
AGM218MAP器件融合先进沟槽型MOSFET工艺与低阻封装设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），适用于负载开关及电池保护场景。
二、特性
采用高密度先进沟槽工艺
极低导通电阻，降低导通损耗
栅电荷小，支持高速开关
低热阻
100%雪崩耐压测试
100%漏源电压稳定性测试
三、应用
主板/显卡核心供电
开关电源次级同步整流
负载点电源
无刷直流电机驱动
四、封装订购信息
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销售部电话：0769-81150556
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