- [中铭快讯]国硅集成650V单通道半桥栅极驱动芯片NSG6000的应用，可替代InfineonIR210X[ 2025-06-05 08:52 ]
- 一、概述 NSG6000半桥栅极驱动芯片是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能，防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定。 二、主要特征 PIN2PIN替换InfineonIR210X 最高芯片耐压650V 兼容3.3V，5V，15V输入逻辑 Vs负偏压能力达-9V 放 防直通保护： ——死区时间130ns
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