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[中铭快讯]国硅集成电路NSH405M0PC替代替代凌欧（晶丰明源）LKS1D5004D智能功率模块ipm[ 2026-01-14 15:48 ]: 国硅NSH405M0PC 是4A/500V半桥智能功率模块（IPM），采用 ESOP13 封装，与凌欧LKS1D5004D 引脚、核心规格完全一致，可PIN - to - PIN 直接替换，无需修改 PCB 与控制逻辑，同时在保护机制、集成度与隔离能力上更具优势，适配直流无刷电机、电动工具、工业电源等场景。; http://www.zm699.com/Article/ggjcdlnsh4_1.html

[中铭快讯]国硅集成电路500V半桥智能功率模块（IPM）NSH305M0PC替代凌欧（晶丰明源）LKS1D5003D[ 2026-01-09 15:53 ]: 国硅NSH305M0PC是3A/500V半桥智能功率模块（IPM），与凌欧（晶丰明源）LKS1D5003D封装（ESOP13）、核心电压/驱动规格完全匹配，且在保护与集成度上更适配工业与家电电机驱动，可直接PIN-to -PIN替代，无需改PCB与控制逻辑。一、核心参数与功能对比项目国硅 NSH305M0PC 凌欧 LKS1D5003D; http://www.zm699.com/Article/ggjcdl500v_1.html

[中铭快讯]芯能半导体IPM智能功率模块XNS20SM1E6有哪些特征？[ 2025-06-26 15:46 ]: 芯能半导体IPM智能功率模块XNS20SM1E6有哪些特征？一、概述 XNS20SM1E6基于TrenchFS-IGBT技术，是一款先进的DIPS26IPM，为交流感应、直流无刷电机和PMSM电机提供非常全面的高性能逆变器输出平台XNS20SM1E6综合优化了IGBT的栅极驱动以最小化电磁干扰和能量损耗，同时也提供多重保护特性，包括集成欠压闭锁、过流保护、温度检测和故障报告。XNS20SM1E6内置高速HVIC，提供无光耦单电源IGBT栅极驱动能力，进一步减小了逆变器系统设计的总体尺寸。独立的IGBT负端; http://www.zm699.com/Article/xnbdtipmzn_1.html

[中铭快讯]深圳芯能半导体技术有限公司[ 2025-06-20 09:09 ]: 深圳芯能半导体技术有限公司成立于2013年9月，是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家级高新技术企业。公司总部位于深圳，在安徽合肥巢湖建有车规级功率模块封装制造基地，深圳、上海、苏州设有研发中心，并在深圳、上海、苏州、青岛、顺德、杭州等地建立了销售办事处。公司现有员工150多人，研发和技术支持相关人员占比超过50%，经过多年的沉淀和发展，在高压功率器件领域已经成为国内知名的供应商，合作客户数量超过1600+，广泛分布于小家电、白色家电、工控、新能源汽车、以及太阳能逆变器等领域; http://www.zm699.com/Article/szxnbdtjsy_1.html

[行业动态]BYD IGBT功率模块BG150B12UY4-I采用IGBT芯片[ 2020-09-09 13:56 ]: 今天为大家带来了比亚迪公司出品BYD IGBT功率模块BG150B12UY4-I。BYD IGBT功率模块BG150B12UY4-I采用的IGBT芯片和FRD芯片和优化的电气连接，具有快速开关特性和高短路耐量。; http://www.zm699.com/Article/bydigbtglm_1.html

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