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- NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21281采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。NSG21281其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG21281采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]
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