登录|注册收藏本站在线留言联系中铭网站地图 English

您好,欢迎访问中铭电子官方网站!

中铭电子 中铭电子

免费咨询热线:

18929103949

热门关键词: 智能IGBT 华南华东IGBT IGBTIGBT 深圳IGBT IGBT公司 IGBT售后 IGBT代理 工业IGBT 买IGBT IGBT价格

当前位置:首页 » 全站搜索 » 搜索:国硅集成300V单通道高
国硅集成300V单通道高侧隔离栅极驱动芯片NSG2127应用于电动汽车快速充电
NSG2127是一组带过流检测的高电压、高速单通道高 侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG2127采用高低压兼 容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错 误信号。NSG2127其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达300V。NSG2127采用SOIC8封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]
http://www.zm699.com/Products/ggjc300vdt.html3星
记录总数:1 | 页数:11