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- G2022是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2022采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2022其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2022采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作[查看]
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