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士兰微160A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT160V65S1PW-IGBT模块
SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于车驱,UPS,SMPS等领域。
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士兰微代理商40A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGTP40V120FDB2P7-IGBT模块
SGTP40V120FDB2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
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士兰微代理商60A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT60U65FD1PN(PT)(P7)-IGBT模块
SGT60U65FD1PN(PT)(P7)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus (Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗, .该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
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士兰微代理商25A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGT25U120FD1P7-IGBT单管
SGT25U120FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4Plus (Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS, SMPS以及PFC等领域。
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士兰微代理商75A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT75T65SDM1P7-IGBT模块
SGT75T65SDM1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截 止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可 应用于 UPS,SMPS 以及 PFC 等领域。
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士兰微代理商50A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT50T65SDM1P7-IGBT模块
SGT50T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop I)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
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士兰微代理商30A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT30T60SDM1P7-IGBT模块
SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop II)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS 以及PFC等领域。
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士兰微代理商20、600V绝缘栅双极型晶体管SGT20T60SDM1P7-IGBT模块
SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
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士兰微代理商15A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT15T60SD1T/F/S-IGBT模块
SGT15T60SD1T/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop 1)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电机应用以及PFC等领域。
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士兰微代理商10A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT10T60SDM1P7-IGBT单管
SGT10T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StoplII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及电机类应用等领域。
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士兰微代理商绝缘栅双极型晶体管IGBT-SGTP5T60SD1D/F/S
SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
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士兰微代理40A、1200V绝缘栅双极型晶体管IGBT-SGTQ40T120SDB2P7
SGTQ40T120SDB2P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止(Trench Field Stop IV)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS 以及 PFC 等领域。
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