160A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT160V65S1PW-IGBT模块

SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于车驱，UPS，SMPS等领域。

40A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGTP40V120FDB2P7-IGBT模块

SGTP40V120FDB2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

60A、650V绝缘栅双极型晶体管 SGT60U65FD1PN(PT)(P7)-IGBT模块

SGT60U65FD1PN(PT)(P7)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus (Field Stop IV+)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗, .该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

25A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGT25U120FD1P7-IGBT单管

SGT25U120FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4Plus (Field Stop IV+)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS, SMPS以及PFC等领域。

75A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT75T65SDM1P7-IGBT模块

SGT75T65SDM1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截 止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可 应用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。

50A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT50T65SDM1P7-IGBT模块

SGT50T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop I)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

30A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT30T60SDM1P7-IGBT模块

SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop II)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS 以及PFC等领域。

20、600V绝缘栅双极型晶体管SGT20T60SDM1P7-IGBT模块

SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

15A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT15T60SD1T/F/S-IGBT模块

SGT15T60SD1T/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop 1)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS，电机应用以及PFC等领域。

10A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT10T60SDM1P7-IGBT单管

SGT10T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StoplII)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及电机类应用等领域。

绝缘栅双极型晶体管IGBT-SGTP5T60SD1D/F/S

SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

40A、1200V绝缘栅双极型晶体管IGBT-SGTQ40T120SDB2P7

SGTQ40T120SDB2P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop IV）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。