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38A, 600V 超结 MOS功率管-SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4
SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
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士兰微38A, 600V 超结 MOS功率管-SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4
SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑。
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83A, 600V 超结 MOS功率管-SVSP60R033P7HD4
SVSP60R033P7HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外， SVSP60R033P7HD4 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
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