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国硅集成NSG2153D 600V 自振荡半桥 MOSFET/IGBT 电机驱动芯片
NSG2153D 是一款高压、高速功率 MOSFET 自振荡 半桥驱动芯片。 NSG2153D 其浮动通道可用于驱动高 低侧 N 沟道功率 MOSFET,浮地通道最高工作电压可 达 600V。[查看]
http://www.zm699.com/Products/ggjcnsg215.html3星
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