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国硅集成200V单相高侧功率栅极驱动芯片NSG20752应用电机控制
NSG20752是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片。NSG20752采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电乎,输出具有大电流脉冲能力。NSG20752其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达200V。NSG20752 采用SOT23-6 封装,可以在-40'C至125℃C温度范围内工作。[查看]
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