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- NSG2007是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2007采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2007其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2007集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2007采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作[查看]
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http://www.zm699.com/Products/nsg2007ggj.html
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- NSG27531是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位 栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁 棒性的单芯片集成结构。NSG27531逻辑输入电平兼容[查看]
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http://www.zm699.com/Products/nsg275312a.html
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- PN8200是一款具有两个端子的X电容放电用芯片，其待机损耗低同时能够满足电源系统的安规标准。PN8200内置了两个高压VDMOS开关，可有效的保护芯片避免雷击或浪涌的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC电压接入时，会有低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内，当AC电压断电后，可通过放电电 阻对X电容放电。放电电阻和X电容可灵活选择以优化系统的EMI性能。[查看]
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