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实现系统快速启动、超低待机功能交直流转换芯片--PN8006

产品分类: 非隔离开关电源芯片
    AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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    自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
    自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
    PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于改善EMI特性。
    快速启动,超低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
    快速启动,超低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
    PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于改善EMI特性。
    外围元器精简,小功率非隔离开关电源--AP8506
    外围元器精简,小功率非隔离开关电源--AP8506
    AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。

            实现系统快速启动、超低待机功能交直流转换芯片--PN8006

       

      一 概述

      AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。
      AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于改善EMI特性。

       

      二 特性

      内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
      内置高压启动电路
      优化适用于12V输出非隔离应用
      半封闭式稳态输出12V200mA@230VAC
      改善EMI的降频调制技术
      优异的负载调整率和工作效率
      全面的保护功能
      过载保护(OLP)
      过温保护(OTP)
      欠压保护(UVLO)


      三 应用

      非隔离辅助电源

       

      四 封装

       

      五 应用电路图

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      PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于改善EMI特性。
      快速启动,超低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
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      PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于改善EMI特性。
      外围元器精简,小功率非隔离开关电源--AP8506
      外围元器精简,小功率非隔离开关电源--AP8506
      AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。

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