实现系统快速启动、超低待机功能交直流转换芯片--PN8006
- 自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
- PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于改善EMI特性。
- 快速启动,超低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于改善EMI特性。
- 外围元器精简,小功率非隔离开关电源--AP8506
- AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
实现系统快速启动、超低待机功能交直流转换芯片--PN8006
一 概述
AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。
AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于改善EMI特性。
二 特性
内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
内置高压启动电路
优化适用于12V输出非隔离应用
半封闭式稳态输出12V200mA@230VAC
改善EMI的降频调制技术
优异的负载调整率和工作效率
全面的保护功能
过载保护(OLP)
过温保护(OTP)
欠压保护(UVLO)
三 应用
非隔离辅助电源
四 封装
五 应用电路图
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- 自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
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- 快速启动,超低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于改善EMI特性。
- 外围元器精简,小功率非隔离开关电源--AP8506
- AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
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