集成高压启动的高性能同步整流器--8305L
- 6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L
- PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306L集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。
- 内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
- PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8016的降频调制技术有助于改善 EMI特性。
集成高压启动的高性能同步整流器
型号：PN8305L
一、概述
PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV，控制器驱动功率MOSFET开启；当芯片检测到功率MOSFET流过的电流降低到阈值-10mV时，控制器驱动功率MOSFET关闭。该芯片提供了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位等功能。内置高压启动电路可支持系统输出电压低至2V时，PN8305L仍能正常工作。
二、特性
*内置13mΩ/6mΩ 50V Trench MOSFET
*内置高压启动电路，适用于低压模式工作
*适用于DCM和QR工作模式
*高精度次级电流检测电路
*优异全面的辅助功能:
欠压保护; 过压钳位
三、应用领域
5V电池充电器及适配器
四、封装/订购信息
五、典型应用电路
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- PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306L集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。
- 内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
- PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8016的降频调制技术有助于改善 EMI特性。
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