集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容交直流转换器--PN8611

一 概述

PN8611集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件超精简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，内置输出线补偿功能使系统获得较好的负载调整率。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护和输出短路保护等。

二 特性

*内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
*内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
*采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
*全电压输入范围±5%的CC/CV精度
*原边反馈可省光耦和TL431
*无需电流采样电阻、FB反馈下电阻、VDD供电二极管
*无需额外补偿电容
*无音频噪声
*智能保护功能
*过温保护(OTP)
*VDD欠压&过压保护(UVLO&OVP)
*逐周期过流保护(OCP)
*开环保护(OLP)

三 封装

四 应用电路图