10A高功率密度,同步升压转换器--AP2016
- 支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H
- PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、最小导通时间等功能。
- 支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L
- PN8308L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308L集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、最小导通时间等功能。
- 600kHz，15V，10A 高功率密度SO8-EP封装同步升压转换器--AP2018
- AP2018 是一款高效率，高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围 2.7 V ~ 9 V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压专用充电端口 HVDCP 的移动电源。由于采用电流模 PWM 控制架构, AP2018 在定频时可获得快速瞬态响应，在轻载时处于 PFM 模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(ON) 功率开关，在轻载和重载下都保持高效率。其他保护特性包括软启动，逐周期峰值限流，热关断，输入欠压保护和栅极驱动 UVLO。 AP2018 采用 SO8-EP 封装，既有利于紧凑的 解决方案又能更好的散热。
10A高功率密度,同步升压转换器--AP2016
一 概述
AP2016是一款高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围2.7V~12V供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压充电端口HVDCP的移动电源。由于采用全新的Neo-PWM控制架构,AP2016在定频时可获得快速瞬态响应，在轻载时处于DCM模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(ON)持高效率功率开关，在轻载和重载下都能保芯片在重载时工作于PWM模式，在极轻载时工作于PFM模式以降低功率损耗。另外，一个模式选择功能脚可以允许用户选择让芯片在极轻载时工作于强制PWM模式或者PFM模式。如果应用对于轻载纹波或者频率分量很敏感，建议选择强制PWM模式。AP2016包含可调软启动，可调逐周期峰值限流，热关断，输入欠压保护和栅极驱动UVLO。AP2016采用4.5mm×3.5mm 20脚QFN封装。
二 特性
*Neo-PWM控制架构
*输入电压范围:2.7~12V
*输出电压范围:4.5~12.6V
*10A开关电流
*超过90%效率，VIN=3.3V,VOUT=9V,IOUT=3A
*内置低RDS(ON)13m和11m功率管
*强制PWM模式获得低纹波电压和固定开关频率
*600kHz开关频率
*可调软启动
*输入UVLO
*快速瞬态响应
*输出自动放电
*输出过压保护
*可调逐周期峰值限流
*谷值限流
*热关断
*4.5mm×3.5mm 20引脚QFN封装
三 应用
*带有HVDCP的移动电源
*便携式扬声器
*便携式电池供电应用
四 封装
五 应用电路图
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- 支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H
- PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、最小导通时间等功能。
- 支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L
- PN8308L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308L集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、最小导通时间等功能。
- 600kHz，15V，10A 高功率密度SO8-EP封装同步升压转换器--AP2018
- AP2018 是一款高效率，高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围 2.7 V ~ 9 V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压专用充电端口 HVDCP 的移动电源。由于采用电流模 PWM 控制架构, AP2018 在定频时可获得快速瞬态响应，在轻载时处于 PFM 模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(ON) 功率开关，在轻载和重载下都保持高效率。其他保护特性包括软启动，逐周期峰值限流，热关断，输入欠压保护和栅极驱动 UVLO。 AP2018 采用 SO8-EP 封装，既有利于紧凑的 解决方案又能更好的散热。
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